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PennState_III-V_TFET_VA_Model_1.0.1

于 2017-05-30 发布 文件大小:1781KB
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代码说明:

  //VerilogA for double-gate GaSb-InAs Heterojunction Tunnel FET model based on lookup tables, which employs the current and capacitance characteristics calibrated TCAD Sentaurus Simulations //Model details: V. Saripalli et al IEEE/ACM NanoArch 2011. //Original Model Developed by V. Saripalli //Implemented by H. Liu

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