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英飞凌IGBT驱动培训资料
在电力电子装置中的一个重要组成部分,输入连接到控制电路的PWM信号输出端，输出连接到装置各IGBT的门极和发射极，将装置中的控制电路产生的数字PWM信号进行隔离传输和电平转换和功率放大,实现控制电路对IGBT进行开通和关断动作的控制，从而实现装置的功率变换功能。InfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Power Suppliesa Gate driving voltage for IGBT+15Vturn-on is normally +15VDriver>□1a Gate driving voltage for IGBTOVturn-off can be oV or negativeWith Single Power Supply5V to-15V)a Negative gate driving voltage+15Vhelps IGBt switch off fasterremain in off state but itDriverneeds dual power suppliesOVWhether to use oV or negativegate driving voltage depends15VWith Dual Power Supplieson the requirement on costZH Liang - Al APperformance05Dec2003agefor internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: InterfaceOpto-couplers is commonly used as interfacingdevices for applications where both signaltransmission and potential isolation are requiredOpto-couplers offers reliable isolation between IGBT(high-potential)& micro-controller(low-potential)Opto-couplers has long signal delay(us)and isexpensiveIsolation +VDpCCMicroDrivercontrollerZH Liang - Al AP05Dec2003Page 6for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Half-bridge DriveStandard configuration: 2 drivers, 2 power supplies, 2 opto-couplersAdvantages: standard, reliableDisadvantages: using opto-couplers, higher system costIsolation +VDDlCC1DriverCC1MicrocontrollerDD2+VCC2DriverCC2ZH Liang - Al AP05Dec2003Page 7for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Half-bridge DriveIn half-bridge IGBT drive, opto-couplers offer two functions(1)safety isolation &(2) shifting the potential of the gatesignal from uc potential to high-side potentialIf safety isolation between IGBT& micro-controller is notneeded, then"Level Shift" can replace opto-coupling andrealize function(2)OptoHigh-sideHigh-sidecouplerDriverIGBTMicro-Opto-LoW-sideLow-sidecontrollercouplerDriverIGBTZH Liang - Al AP05Dec2003Page 8for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive Level shiftI FeaturesHVc(600V/1200V)沿PULSERFILTERShort Signal DelayPULSE■Cost- effectiveGEN■ No Safety Isolationevel Shift Half-bridge DriverI BenefitHigh-side““°IGBTO Saving Opto-couplersLevel(lower system costShiftMicro● Wider range ofcontrollerLevelLow-side■■■■■直■口m留■Switching FrequencyShiftIGBT(higher flexibility)ZH Liang - Al AP05Dec2003Page 9for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: CLTNEWO CLT-Coreless Transformer (for signal transmissionu Coils(Primary Secondary Side)realized on SiliconO Short Signal Delay (allowing high or low switching frequencyu Lower Cost(compared to 1200V level-shift driver日 Safety IsolationCLT Half-bridge DriverHigh-sideCLT Single DriverIGBTCLTMicro-controllerCLTIGBTMicro-controllerLoW-sideIGBTZH Liang - Al AP05Dec2003agefor internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Boot-strapBoot-strap circuit includes only a diode and a capacitora In half-bridge drive, the boot-strap circuit can replace the high-sidepower supply and make single-supply operation possibleWhen the low-side IGBT (or FWD)is on, the diode is forwardbiased and the capacitor is charged by the low-side power supplyvia the low-side IGBT and stores the energyWhen the low-side IGBt(and FWD)is OFF, the diode is reversebiased and blocks the dc-bus voltage to protect the low-sidecircuit. Meanwhile, the capacitor supplies energy to the high-sidedriverThe boot-strap capacitance should be high enough to keep thesupply voltage stable Capacitance needed can be calculatedbased on the working conditions and device parametersZH Liang - Al AP05Dec2003agefor internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Boot-strap circuitConventional2心菲*|■3 high-side power supplies■1|oW- side power supplyUsing boot-strap circuit心体心心●3 diodes& capacitorso 1 low-side power supplyFeaturesa Diode: ultra-fast recoverya Capacitor: general-purposed ITAa Dependent on low-side IGBTBenefitsSaving 3 PS(transformer cost)22ZH Liang - Al AP05Dec2003Reducing wiring connectionPage 12for internal use onlyInfineon Technologies Asia Pacific
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图像相似度计算（python）
一个关于对图像相似度计算处理的python程序
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ring3 hook NtQueryDirectoryFile 隐藏文件 （黑客防线）
ring3 hook NtQueryDirectoryFile 隐藏文件 （黑客防线）dll部分 注入工具网上找
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大屏展示源码
使用echarts实现大屏展示 包括数据源码 可修改无加密 包含地图、饼图、柱形图、折线图、等多种常用图表
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官方权威最小二乘支持向量机(LS-SVM)工具箱及使用说明v1.8
官方权威最小二乘支持向量机(LS-SVM)工具箱及用户手册v1.8手册包括分类、回归的示例代码
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基于nsct+pcnn的图像融合
基于NSCT+pcnn的图像融合源码,得到的融合图像很清晰！效果不错
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顺丰快递物流设计(基于flexsim技术的方案)
顺丰快递物流设计，采用基于flexsim技术的方案，顺丰快递物流设计大赛获奖作品。
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2020深圳建模论文.pdf(时间序列模型 多元线性回归 老龄化 医疗与养老保险)
本文首先分析了国际上先进医疗及养老保险标准，并结合深圳市的现状及当代国情，对深圳市未来需要在这方面实现的目标进行了量化描述，接着分析了深圳市经济与居民健康水平发展的趋势及原因，运用多元线性回归方法，综合考虑疾病类型、医疗保障和环境质量因素，分析了如何合理配置医疗和养老资源以实现所制定的目标，最后给出了与目标相匹配的医疗与养老保险方案。 针对问题一，本文将建立时间序列模型对未来医疗和养老保障目标进行预测。首先，在对深圳市未来养老保障进行预测时，本文选取老龄化程度、市人口数量、年龄结构作为影响因素，对医疗保障进行预测时，本文选取医院床位、医疗费用、城市人口作为影响因素。其次，通过搜集国际上医疗及养老保障先进的国家的数据，将深圳近几年数据与之相比较，分析出差距及发展前景；最后，本文分别建立医疗和养老保险数据集，并对数据预处理，将影响因素作为自变量，将医疗和养老保障作为因变量，使用 SPSS 建立时间序列模型，整理养老与医疗床位数，实现目标的量化描述。 针对问题二，在预测未来十年深圳常住人口时，本文运用了 Matlab 多元线性回归，对近十年的数据进行了多次拟合,并对这些拟合进行了比较，得出深圳常住人口模型公式。矩阵预测出了未来十年人口结构的分布。通过分析深圳近人口数量和人口结构的变化，预测未来十年深圳市人口数量和结构的发展趋势，以此为基础预测未来全市和各区医疗床位需求呈线性递增趋势。 针对问题三，首先对医疗保险方案进行分析，本文根据深圳市近几年对医疗卫生事业的投资力度及当代发展特点，得出未来医疗保险方案应结合计算机技术，完善信息系统，改善医疗保险监控手段，合理控制医疗费用的增长，进而保障医疗保险基金高效运行，以实现目标；其次对养老保险进行分析，养老保险会对患者和老人造成影响，且深圳未来老龄化正在加速，因此在未来养老保险方案制定上，需要考虑两点：第一、养老保险能够调节供求匹配度，第二、从深圳市政府利益的角度，要尽可能使得保险金额少，所以本文从这两方面进行综合考虑设计养老保险方案。 关键词：时间序列模型 多元线性回归 老龄化 医疗与养老保险
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Labview 图片显示
Labview 如何显示图片 动态显示 很简单的labview实例
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水和水蒸气热力性质计算程序代码（matlab中调用）
该程序组共包含10个子程序，全部为计算水和水蒸汽性质的子程序，采用的是国际公式化委员会制定的水和水蒸气热力性质（IFC67）公式。各子程序分别是：TSK.m 求某下压力饱和温度。PSK.m 某温度下饱和压力。HS.m 已知比焓、比熵，求其它性质。PX.m 已知压力、干度，求其它性质。PV.m 已知压力、比熵，求其它性质。PTG.m 已知压力、温度，求饱和汽、过热蒸汽的性质。PTF.m 已知压力、温度，求饱和水、过冷水的性质。PT.m 已知压力、温度，求其它性质。PS.m 已知压力、比熵，求其它性
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