专利撰写样例
专利撰写参考样例，可以参考写。机械相关领域的专利，都可以参考。CN201482299U说明书1/2页多功能组合式带式压滤机技术领域[0001]本实用新型涉及一种环保领域水处理系统中,适用于污泥处理的多功能组合式带式压滤机。背景技术[000]环保领域水处聞系统中的污泥处理设备中,带式压滤机是)泛采用的设备。目前带式脱水设备形式很多,但是由于各种使用原因,都存在有污泥分离过程中,混合、絮凝不充分,影响了带式压滤机使用效果,无形中增加了污泥处理的费川实用新型内容[0003]本实用新型要解决的技术问题是提供一种集絮凝、浓缩、布料及脱水于一体的多功能组合式带式压滤机,解决混合、絮凝不充分,滤液中仍含有大量污泥,布料不均匀等缺陷。[000为了解决上述问题,本实用新型提供了一种由絮凝装置、浓缩装置、宽带布料装置、脱水装置组成的多功能组合式带式压滤机。泥浆浓度小于1%时采用絮凝装置、浓缩装置、脱水装冒组合,浓度大于1%时采用絮凝装置、宽带布料装置、脱水装詈组合,絮凝装置安装在脱水装置上部左端;浓缩装置安装在脱水装置上部中间;宽带布料装置安装在脱水装置上部中间。[0005絮凝装置是絮凝筒和裝仼絮凝筒上部的搅拌机组成的装置;所述絮凝装置的搅拌机为螺旋提升式搅拌机。[000]浓缩装置是浓缩装置驱动电机减速机安装在浓缩装置的左端,其右侧安装1~3只浓缩网筒,浓缩装置的右下端安装1~3只小布料器组成的装置。[000宽带布料裝置是分配槽和安装在分配槽上部的布料筒组成的装置[0008脱水装置是重力脱水区位于脱水装置的上端左侧,重力脱水区右侧依次安装上滤带清洗装冒、上调偏装置、脱水裝置驱动电机减速机:主动辊安装在脱水装置的右端,主动辊之间右侧形成剥离区,剥离区左侧的S形区域是S挤压脱水区,S挤压脱水区左侧是上滤带和下滮带形成的楔形脱水区,转向辊安装在脱水设备的左端,下调偏裝置安装在脱水裝置的下部右侧,下滤带清洗装置安装在下调偏装置左侧组成的装置。附图说明[0009下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明[0010]图1是本实用新型多功能组合式带式压滤机的第一种实施方式的示意图。[0011图2是木实用新型多功能组合式带式压滤机的第二种实施方式的示意图具体实施方式[0012]本实用新型工作情况是这样的:CN201482299U说明书2/2页[0013]如图1所示,经过加药后的原低浓度泥浆由泥浆口20进入絮凝装置23,泥浆在絮凝筒2屮絮凝,通过螺旋提升式的搅拌机1搅拌加速泥浆与药剂的反应,形成较大的絮凝团,然后自流到浓缩装置4中。由浓缩装置驱动电杋减速杋3带动不锈钢浓缩网筒5旋转,泥浆在浓缩网筒5中进行浓缩,浓缩后的泥浆通过配套的小布料器7均匀分布在上滤带19上。脱水装置驱动电机减速机10带动主动辊11转动,主动辊11带动上滤带19和下滤带16移动。泥浆在上滤带19带动通过重力脱水区6,稳压阀提供恒定压力的转向辊18,转向落到下滤带l6上,然后在楔形脱水区17预挤,最后在S挤压脱水区13挤压脱水,并形成泥饼,泥饼最终在剥离区12分离出脱水装置25。上滤带19通过射沇阀控制的上调偏装置⑨调整滤带的位置。上滤带凊洗装置8对上滤带19进行凊洗。下滤带16通过射流阀控制的下调偏装置14调整滤带的位置。下滤带清洗装置15对下滤带16进行清洗.[0014]如图2示的经过加药后的原低浓度泥浆由泥浆∏20进入絮凝裝置23,泥浆在絮凝筒2中絮凝,通过螺旋提升式的搅拌机1搅拌加速泥浆与药剂的反应,形成较大的絮凝团,然后自流到宽带布料装置24,在布料筒21中混凝,用由分配槽22均匀分布到上滤带19。脱水装置驱动电机减速机10带动主动辊11转动,主动辊11带动上滤带19和下滤带16移动泥浆在上滤带19带动通过重力脱水区6,稳压阀提供恒定压力的转向辊18,转向落到下滤带16上,然后在楔形脱水区17预挤压,最后在S挤压脱水区13挤压脱水,并形成泥饼,泥饼最终在剥离区12分离岀脱水装置25。上滤带19通过射沇阀控制的上调偏装9调整滤带的位萓。上滤带清洗装萓8对上滤带19进行凊洗。下滤带16通过射流阀控制的下调偏装置14调整滤带的位置。下滤带淸洗装置15对下滤带16进行清洗CN201482299U说明书附图1/2页89252310182N相12171613图15CN201482299U说明书附图2/2页252019TIINT18a尺G)12161415EADZARSEADE图6
- 2021-05-06下载
- 积分：1
RK3229 MIC
RK3229 的多mic阵列麦方案，RK原厂提供，对于做多MIC客户用途比较大RaCkChpP瑞芯微电子福州瑞芯微电子股份有限公司目录目录3概述■1■■1■■1■1■■1■■1■1面■■■■■■4产品版本4适用对象41-概述,:■:■":■::■::::::::::::.::.::.::.::.::::":::::::::::::::::::1.1麦克风阵列EK廾发平台简介1.2麦克风阵列EVK框图.13麦克风阵列E∨K组件2麦克风阵列E硎K介绍..………82.1整体效果图82.2结构与接口示意图3麦克风阵列子板模块简述n113.16+0+2麦克风阵列方案说明113.2内、外圈园周阵列麦■重着国面重着国面重着国面日重面重面重面自重面自■重■,面■重■面■重■,面重■,面■113.3 Codec.3.4PA133.5 Loopback回采电路,,,,,,,,,133.6排针∴144注意事项∴.….154.1注意事项15Copyright 2015 @Fuzhou Rockchip Electronics Co., LtdRaCkChpP瑞芯微电子福州瑞芯微电子股份有限公司前言概述本文档主要介纽RK麦克风阵列EVK基本功能特点和硬件特性、硬件配置以及使用方法,旨在帮助相关开发人员更快、更准确地使用该EVK,进行麦克风阵列冫案的应用开发E∨K由RK3229主板与麦克风阵列子板共两部分组成,本文档着重介绍麦克风阵列相关内容,即麦克风阵列」板及其与RK3229主板相关联部分。涉及RK3229主板的其他功能,可参考《RK3229BOX开发板用户使用指南》以获取更详细信息。产品版本本文档对应的产品版本如下:品名称版本描述RK SDK BOX RK3229 Discrete PowerV1.0RK3229主板DDR3P416DD6V1020160120LⅩFRK BOX EVB MICARRAYTESTBOARDV1.06+0+2麦克风阵列子板RK3229V1020160901适用对象本文档主要适用于以下人员:技术支持工程师单板硬件开发工程师频算法工程师嵌入式软件开发工稈师测试工程师Copyright 2015 @Fuzhou Rockchip Electronics Co., LtdRaCkChpP瑞芯微电子福州瑞芯微电子股份有限公司缩略语缩略语指文档中常用的词组简称:内部整合电路(两线式串行通讯总I2CInter-Integrated Circuit线)I2SInter-IC Sound集成电路内置音频总线PAPowerAmplifier此处特指音频功率放大器RKRockchip lectronics Co. Ltd瑞芯微电子有限公司Copyright 2015 @Fuzhou Rockchip Electronics Co., LtdRaCkChpP瑞芯微电子福州瑞芯微电子股份有限公司1概述1.1麦克风阵列EVK开发平台简介RK3229芯片是一款包括NeOn和FPU协处理器在内的四核 ARM Cortex-A7处理器,主频1.5GHz;集成∫32 bits ddr3/DDR3L/ LPDDR2/ LPDDR3控制器,提供了高性能、髙分辨率应用程序所需要的内存带宽。芯片能胜任高分辨率(4K/60Hz)显示、多通道(8+2)音频处理和主流应用。芯片内置3路I2S接口,I2S1用于HDMI输出的音频处理,另外2路I2S0与I2S2可供用户自由分配。其中,I2S2支持同吋2通道输入与2通道输出,I2S0则可最扃支持至8通道输入或8通道输出。麦克风阵列E∨K是基于6+0+2名麦克风方案(6+0+2介绍见3.1章节)的硬件参考设计,同时RK3229主板将芯片资源都作了引出,方便客户验证、调试与二次开发,只需要简单修改参考设计的模块电路,就可以完成产品的硬件设计12麦克风阵列EvK框图RK3229主板使用12∨/2A适配器供电,通过UART串口进行调试,验证各功能模块。开发板配有HDMI输出, SPDIF输出,ⅥWIFI+BT模组, Etherne接口,USB接口,TF卡,红外接收以IR,CVBS视频接口等,非常有利于芯片方案的深入研发与快速产品化。主板与麦克风阵列子板通过10x2的2.54mm排线连接,音频接口包括5V电溟、1组I2S1信号、1组I2C信号与2个通用GPIO。详细资源使用情况见下图:Copyright 2015 @Fuzhou Rockchip Electronics Co., LtdRaCkChpP瑞芯微电子福州瑞芯微电子股份有限公司口RockchipRK3229Serug OARI2wskur Reset nimrod4x二C/D2XLDOPowerUSB HUST2J图1RK3229主板系统框图工C3Vf∞rMICaD5V王CC⊥K工CM工c5图2麦克风阵列子板系统框图13麦克风阵列EvK组件麦克风阵列EWK主要包括以下物品:RK3229主板麦克风阵列子板电源适配器,规格:输入100VAC240VAC,50;输出12VDC,2A2.54m20针排线Copyright 2015 @Fuzhou Rockchip Electronics Co., LtdRaCkChpP瑞芯微电子福州瑞芯微电子股份有限公司2麦克风阵列EW介绍2.1整体效果图麦克风阵列EWK整体实物图如下ppDJoZl (l esnw最w箱x思图1麦克风阵列EVK实物图Copyright 2015 @Fuzhou Rockchip Electronics Co., LtdRaCkChpP瑞芯微电子福州瑞芯微电子股份有限公司g88888图2麦克风阵列子板实物图-正面、背面2.2结构与接口示意图麦克风阵列了板PB布局如图所示外园麦克风、6个直径Rcm闪园麦先风、6个直径5cmCodecPAT排针Codec(6PA2喇刺叭翰出2RK BOX EVB NICARRAY TESTBOARD RK3226_2018%ad图5麦克风阵列子板PCB正面图Copyright 2015 @Fuzhou Rockchip Electronics Co., LtdRaCkChpP瑞芯微电子福州瑞芯微电子股份有限公司各模块及接∏说明如卜表表1麦克风阵列子板说明编号说明措述1选项1-外圈麦克风直径80mm6个数字麦克风2选项2-内圈麦克风直径50mm6个数字麦克风选3odec每个 Codec支持2路输出与2路输入PAD类音频功放芯片456喇叭输出2个喇叭输出排针与RK3229主板连接的排针Copyright 2015 @Fuzhou Rockchip Electronics Co., Ltd10
- 2020-12-07下载
- 积分：1
微波网络及其应用.pdf
微波网络及其应用 免费分享85,6直接耦合谐振器笮带带通§7.8支线定向合器…………滤波器………………………§7.9混合电桥的基本概念3!9§区.71/4波长短截线和联接线宽§7.10魔?和折叠双T接头………3I带带通滤波器…957.11矩形波导裂缝电桥§5.8平行耦合线带通滤泼器…20087.12环形电桥h十酽■■■冒吾1·P■■··3了3§59交指型带通滤波器……………6§7.13三端功率分配器…§5.10微带阻滤波器习趣§5,11徼波分路滤波器……………26§5,12微波滤波酱的相移和时延第八章微速铁氧体元件……特性司卓p自申●■啁口中●口啁■四●d自■口■§8.1引言……………………3日§5.13元件损耗对滤波器性能的§82张量导磁率和本征导磁率…影响4■即22383铁氧体非互易网络-346习题230§8,4Y型结环行器分析…………370§8.5双模移相器分析第大拿.阻抗匹配网络「2§8.6边导模器件…39§6.1引言23题………397§6.2抗匹配网络的宽带极……233§631/4波长阶梯阻抗变换器…a九章微渡系統分析中·“章自甲·‘86,4渐变线阻抗变换器…7§9.1引6.5低通港波阻抗变换器25289.2复杂网络的一般婢论……………4§6.6电抗性负载阻抗匹配网络……25939.3微波混合系统分析……n09§67负阻负载随抗匹配网络……21§9.4微波复杂系统分析…………43对题27589.5徼波溅量系统分柝·§9.6长馈线网络反射系数的概第七蠶微波定向網合器、沮合电桥及率分布+66功率分配器27T习趙87,1引肓……27§72定向耦合器的基本概念第十章计算乱输助设计网络初步…4537了§7.3平行矩形披导圆孔阵定向§1.1引言476合器21§1.2计鲜机辅助设计的一般§7.4正交矩形波导十字槽定向问题45构合器■·十■■平■■+·4女■画■p■b■29010,3矩量法S75单节平行糊合线定向糊§1合,4微波网络的优化99合器…295§10.5模拟技术§7.6多节平行耦合线定向§10.6计算机辅助设计的发展糊合楼越势50r§77不均匀耦合线高通定向耦合器……附录四单纯形优计录附录五长愦缤网络反射系数的附录一矩阵代数模拟程序及其说明附录二互易定理参考书目…晶幽"55附录三行主元消去法求逆矩阵…506第一章微波网络基础§1.1引言任何一个微波系统,都是由各种微波元件和徽波传输线连接而成。微波传输线特性可以用广义传输线方程来描述,徼波元件特性可以《类似低频网络)等效电路来描述,于是复杂的徽波系统,就可以用电磁理论和低频网络理论相绪合来求解,成为一门傲波网络理诒。每个微菠元件都可飴和几个微波传输线相连接,按照所连接传输线数目多少,微波元件可以分成苧端口、双端『、三端口、四端口等微波元件。每个微波元件都可以看成个微波网络,堕着徵波元件端口数的不同,微波网络也分为单端口、双端『、三端口、四端口等微波网络。实际所用的微波元件可高达四端口,凹端厂以上的徽波元件就很少应用了微波网络理论的主要目的,在于分析做波元件的工作特性,或依据它的工作特性,综合出微波元件结构和设讨方法,以便工程应用。分析微波元件的工作特性的方法有二,是应用麦克斯韦方程和元件的特定边界条件,求出其场强的分布、波的振荡和传输等特性;另一是把微波元件等效成微波网络,把连接它的传输縐等效成双导线传输线,然后用网络方法进行分菥。第一种方法比迹严格,听得结果ⅸ较全面正确,但其数学送算繁琐,所得结果通常都是特妹函缴,不便于下程应用。第种方法是近似的,能够得到微波元件主要传输特性,并且网络参薮可用测量方法来确定,便于工程应用,但不能得出元件内部场的分布情況。昱然如此,但由于网络方法计算简便,易于测量,又为广大工程技术人员所熟知,揿应用较为广泛。徽波电磁理论与徹波网络理论域是两大独立分支,但两者是相互连系的,微波网络理论是微波电磁理论的工程化,只信在微波电憾理论的基础上来探讨和发展微波网络理论,才是正确的方向微波网络理论又分为线性网绉理论和非线性网络理论,本书只讨论线性网络理论微波网络方法分析法和综合法两种,分析法是按已经掌握的基本微波网络结构及其特性,进行各种组合,来满足工作要求;综合法则根预定工作特性要求,来实现徼波网络结构。前者设计比较简单,但往往得不到性能优良而元件较少的最佳结果;后者虽然设计理论比较复杂,但能得到性能优良而元件较少的最佳设计。现在由于电子计算机的发展网络猕合所雷要的繁琰计算,都可用计算机来完成,一些主要元件设计都有现成图表数据备查,因而网络综合法已成为设计微波元件的主要方法。本书就是以网络综合法作为主要方法本章日的在于给定微波阿络的一些基本概念和基本参数。首先讨论广义传输线理论3从而定义出微波网络的电压和电流,这对了解等效电路的意义是很必要的。然后导出网络的阻抗矩阵、导纳矩阵、A矩阵、散射矩阵以及传输矩阵,并讨论它们的性质与相互变换,这给我们分析徽波网络是供数学工具。最后,讨论徼波闼络的本征值问题、网络参数浏量理论以及讯号流图,这对我们求解微波网络问题提供些必要的手。§1.2做波传输线及其特性电磁波可以用导体战介质进行引导,使其按一定方向传输·这种引导电磁被的装置叫妝传输线。在微波波段内,导行波的现象特明显,特别容彭b,因而有各种各样的微波传输线。图1.2-1示出几种常见的微波传输线,它们都是直的〔轴向),可以很长,直至无穷远。它们的横截面(横〕的几旋早4)矩形导(Abet〔c)同抽线何形状和媒质分布处处灬样,不因轴向位置不同而改变n这类传轴线叫做均匀传输线。在这些传输线中,电磁波沿着轴向传输,横截面上电磁场按一定规律分t带线布,所以这类电磁场问题可分为d)带状线两部分来研究。一是研究轴向的团12-1各种做菠传输线传输问题,叫做纵向问题;一是研究横截面上电磁场分布问题,叫做横向问题。两者相互联系,相互制约,究竟先研究哪个阿题,在理论上是无关紧要的。本背先从麦克斯韦方程发,简略叙速这类传输线的分析方法,从而得出其传输特性和等效电路。、微波传输线的电磁场方架研究任意檢截面的均匀徼波传输线中的电碱场,应从麦克斯韦方程出发。在正弦交变场情况下支克斯韦方程的复数形式是vxH=OEYXE=-FoWH.2-1·E=0V·=Q式屮∈是媒质的介电常数,μ是导磁率,它们都是与场强无关的當数。为求解传输线中电场E和磁场酽的方便,通常引入两个赫兹矢量位。由VH=0出发,可引入一个矢量位∏,使得≡{×∏,它消足回·H=jω∈V·(Vⅹn)=0,因为任何欠量旋度的散度恒等于零。矢量位∏°叫做赫兹电矢量,它揣足三维亥姆霍茨方程V2T+2T-0H=j∈V×T(1.2-2E=V(∏)+kT由￠-E=0出发,还可引入另一个矢量位冂,使得E=-fμ×n,并满足方程,j0v·(×T")=0。矢量位∏叫做赫兹磁矢量,它也满足三维亥姆霍茯·EVm+2r”=E=-jcV×nH=V(·T")+2n式中k=v比∈是无限媒质的波数。为解出均匀传输线中电磁场的普遍关系式,我们釆用广义正交柱坐标系(,琶,2)其中z是纵向直坐标,而,v是横截面上的曲线坐标,如图1.2-2所示。对于直角坐标系,“=%,U=y。在此坐标系中,为求解方程常数(12-2)和(12-3)筒便起见,可令『和∏t情数只有z方间分量,即=ir=ili同时担算符Ⅴ写成Ⅴ=4十--,其中Ⅴ是横截面型标的算符、L是之方向的单位矢。将上述关图122广叉止交坐訴系系代入(1.22)和(12-3)式中即可得到H=冖jo∈XV∏EA=v022十2∏z以及V21]z+21i=0E=j四Hz=×Ⅴm(1.2-5FI = =vp点2丑由此可见,在惹电矢量只有z分量的情况F,电磁波在2方向只有电场分量Ex而磁场分量Hx=,掀叫橫磁波(TM模),又叫徹哐波(E貘)。在勅兹磁矢量只有z分量的情况下,电磁波在z方向只有磁场分量II,而电场分量x=0,故叫做横忠波(TE模),又叫徹磁波(摸)这些模式能否在传输线中存在,是出其边界条件来决定的。对于TM模,在W=常数或U=常数的电壁(殚想导体表面)上!9=0;在H=常数的磁壁⊥d=0,在=常数的磁壁上(理想导磁体表面),。0=0,对于模,在2常数的电壁上,0,在=常数的电壁上,a门=0;在=砦数或v=常数的磁瑾上,巧=0在徽彼传输线中,如果单纯TM模或TE核不能满足逊界条件时,两者必须同时存在此时电磁就既有Ex分量,也有丑分量,叫做混合模。在直型标系中,混合模有两种简单形式,可令(12-2)或(1.2-3)式中=,「=求得。它们的表示式是∏6+hnr+R s上x=0d+们(1.2-7)EPoYEHII∵x由此可见,在赫兹电矢量只有x分量的情况下,电憾波的电场和磁场都具有之分量,仨磁场没有分量,即H=0,磁力线分纵向截上,叫做纵向磁波,筒称LSM模或TM模。在赫兹磁欠量只有x分量的情况下,电磁波的电场和磁场都有z分量,但电场没有x分量,即E:=0,电力线分布在纵向截面上,叫做纵向电波,简称LSE模或TEx棋。广义传输线方程我竹已知:求解黴波传输线的电磁场时,不管其中存在何种传输模式:槨要解赫兹矢量的三维亥姆霍茨方程,特别重要的是求解其中某一坐标分量的三维亥姆霍茨方积Van+kl o即YAI T五↓高I=0式中波函数Ⅱ既可以代表赫兹电矢量的κ分量(M模〉或x分量(LSM模),也可以代表赫兹磁矢量的2分量(TE模)或分量(LSE樸)。(1.2-8)式是个二阶偏微分方程,可用分离交量法求解。求解时令∏(#,沙,2)=∫(#,v)ψ(212-9式中f(u,t)只是横截面平标和的函数,ψ(x)只是纵向坐标之的图数。将(1,2-9式代入(1.2-8)式中就得到Vif(m, v)d2p(2)上式芹边仅仅是和U的数,与2无关;右边仅仅是z的函数,与和矿无关。两边相等,表明它们都必须等于常数。设此分离常数为一,则有(1.2-10)y2(2)=0(1.2-11)式中γ=k一由此可见,波函数∏(,U,2)可分离成f(u,)烈ψ(2)两个函教之积,其中f(,v)满足横坐标和v的二维亥姆霍茨方程,它决定横截面上电磁场分布。ψ(2)满足纵巫标z的传输线方程,它决定轴向电磁波的传输特性,故此方程称为广义传输线方程。由于我们所研究的微波传输线是无穷长,没有反射波,,故(1.2-11)式的解是2〕=Ag式中A是一个常缴,决定波的振幅。于是波函数n是∏(u,,z)=f(,u)ψ(z)=Af(n,)e(1.2-12)已知波函数后,传输线中各种模式的电戤场可由(1.2-4)到(1.2-7)式求得例如对于TM模∈A2xV(H,U)EE1=一YAVf(,t)e1.2-13)42)e对」IEE=j甲A2×Vf(,)e1(1.2-14)ustkA(u, ue传输特性电磁波在微波传输线中的传输特性,通常用其相速、波阳抗以及传输功率来表征,因为用它们可以确定波的传输快慢、强弱以及电场与磁场间的关系。一般说来,波的这些特性都与传输线的横截面的儿何结构有关,也就是与其边界条件关。下面分别叙述之1.被的速度在(12-2)式中波函数具有因子cY,它表示电磁波沿2方向的传输情况。ˇ叫做传输常数,通常是个复数,可以写为y=a+。其中叫做衰减常数,表示波在传输过程中振幅哀减的快慢β叫做相移常数,表示波不传输过程中相位变化的快慢。如果我们假设媒质是无耗的,μ和∈郗是实常数,则波数長=如vμ也是实数,这样,由y2后一}2可知,y的性质随者的不同而异,而是白横截面的边界条件决定的但是,不管横截画的几何结构如何,只可能有三种情况:(1)是的=0,(2)是>0,(3)是A0的情况下,电磁波的E。或H不等于,可以是M糖、E模或混合模这时传掏常数是即1.2-1?)如果令h=-5=2x/2n,B=/=2x/入,h=2τ/A其中是无限媒质中的波长,2是波导波长,A是截止波长,则(12-17)式变为(λ3/A入)21.2-18}由此可见,当為a,kx>λ,即波的相速大子无限媒质的光速,叫做快波。快波的波长大于无限媒质的波长。当λ>λa时,相速和波长都是虚激,没有物理意义,但这时=kk式中α是实数,故此电磁波变成衰减电磁场,随着轴向距离的增大,场的振幅逐惭衰演,但其相位不变,故衰减场是不能在传输线上传输的。0=是传输线中传输快波还是衰减场的临界情况,这时=0,月=0,传输线中既没有快波传输,也不是衰减场,而是等福的电磁场。λ之所以叫儆截止铍长,是因为当λ≥λe时,传输线中没有电磁波传输。在始8:因此Y=vR一的=v1+(B/R)=f于是波的相速和波长是1.2-19)2兀=入/V1+(戶,/)2由此可见,这类波的相速小于无阳媒质中的光速,岍做慢波,慢波的波长小于无限媒中的波长
- 2020-12-10下载
- 积分：1
|
联系客服（QQ：3324461878）
