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FLUENT udf lesson
FLUENT udf lesson
- 2020-06-01下载
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ToF三维点云重建
ToF sensor 导出的数据进行三维重建，根据激光从出发到经过散射之后到目标物再被探测器接收到这个时间信息来求解目标物的位置和立体形状扫描足够多的点的时候，就能够得到目标物上的做够多的点的距离值，只有可以恢复出目标物的3维形状。
- 2020-11-28下载
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PICMG 3.0 Revision 3.0 AdvancedTCA Base Specification
两个月前从picmg官方网站上下的，最近再去，找不到免费的了，开始收费了。希望对想学习或研究的兄弟姐妹们有所帮助。PICMG 3.0 Revision 3.0 AdvancedTCA Base Specification February 19, 2008先进电信运算架构（ATCA）又被称为PICMG3.X，是用于满足高吞吐量、高可靠性的新一代计算机平台标准，该标准将为电信行业制定全新的刀片式产品和机箱外形技术提供规范。目前，ATCA正由PCI工业计算机制造商协会（PICMG）进行开发，协会致力于满足CompactPC（PICMG2.16）I及其他专有解决方案都不能满足的新一代通信应用中
- 2020-12-03下载
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机载合成孔径雷达运动补偿研
关于合成孔径雷达机载运动补偿 讲的还可以
- 2020-12-08下载
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卷积神经网络经典代码代码
卷积神经网络经典代码代码，可以直接运行。卷积神经网络MATLAB代码
- 2020-12-11下载
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模糊神经网络matlab实现
讲述了如何利用matlab语言进行模糊神经网络的训练与仿真及其实现方法
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20个 Axure 经典案例 *.rp 文件
里面是搜集好的 *.rp 文件，仅供参考，希望能帮到大家，祝大家学业有成，工作顺利，万福金安。
- 2020-12-07下载
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压缩感知BP算法
使用BP算法实现的压缩感知，还有原始图像和还原图像的对比。
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基于灰色理论与神经网络的水质组合预测模型研究.zip
【实例简介】基于灰色理论与神经网络的水质组合预测模型的研究是当前水质预测领域的研究热点之一，国内外众多研究者都在尝试如何将灰色理论与神经网络进行有效组合，以获得更好的预测效果。因此，本文在借鉴前人的成果基础上，采用串联组合方法分别对基于灰色理论与 神经网络的水质组合预测模型、基于灰色理论与 神经网络的水质组合预测模型进行了对比研究，同时提出了一种预测效果更佳的基于时间窗口移动技术与 神经网络的水质组合预测模型。
首先，本文根据中国环境质量公报（淡水环境）中长江水环境质量状况以及结合重庆市长江流域断面的实际情况筛选出七项水质指标，然后论述了灰色 模型、 神经网络以及 神经网络的相关理论和算法，接着建立了基于灰色理论与 神经网络的水质组合预测模型和基于灰色理论与 神经网络的水质组合预测模型，并以重庆市长江寸滩断面1998年至2008年的水质数据为例进行了实例测试和结果分析，也对两种组合预测模型的结果进行了对比与讨论，得出了后者预测效果更好等结论。
与此同时，通过以上两种组合预测模型的研究，本文提出了基于时间窗口移动技术与 神经网络的水质组合预测模型，并仍以长江寸滩断面为例，经过研究和实例测试表明该模型能够较好的对长江流域寸滩断面的水质进行预测，在整体上其预测效果比前两种组合预测模型更为理想，而且该模型能够较好地应用于水质指标预测和管理中，为河流水质预测提供重要的科学依据。
最后，本文采用基于 神经网络的水质评价模型对重庆市长江寸滩各年的水质进行了等级评价，并与中国环境保护部公布的水质评价结果进行了对比分析，其结果表明水质评价结果在一定程度上能够正确地反映长江寸滩当前的水质状况。
- 2021-11-24 00:39:25下载
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英飞凌IGBT驱动培训资料
在电力电子装置中的一个重要组成部分,输入连接到控制电路的PWM信号输出端，输出连接到装置各IGBT的门极和发射极，将装置中的控制电路产生的数字PWM信号进行隔离传输和电平转换和功率放大,实现控制电路对IGBT进行开通和关断动作的控制，从而实现装置的功率变换功能。InfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Power Suppliesa Gate driving voltage for IGBT+15Vturn-on is normally +15VDriver>□1a Gate driving voltage for IGBTOVturn-off can be oV or negativeWith Single Power Supply5V to-15V)a Negative gate driving voltage+15Vhelps IGBt switch off fasterremain in off state but itDriverneeds dual power suppliesOVWhether to use oV or negativegate driving voltage depends15VWith Dual Power Supplieson the requirement on costZH Liang - Al APperformance05Dec2003agefor internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: InterfaceOpto-couplers is commonly used as interfacingdevices for applications where both signaltransmission and potential isolation are requiredOpto-couplers offers reliable isolation between IGBT(high-potential)& micro-controller(low-potential)Opto-couplers has long signal delay(us)and isexpensiveIsolation +VDpCCMicroDrivercontrollerZH Liang - Al AP05Dec2003Page 6for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Half-bridge DriveStandard configuration: 2 drivers, 2 power supplies, 2 opto-couplersAdvantages: standard, reliableDisadvantages: using opto-couplers, higher system costIsolation +VDDlCC1DriverCC1MicrocontrollerDD2+VCC2DriverCC2ZH Liang - Al AP05Dec2003Page 7for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Half-bridge DriveIn half-bridge IGBT drive, opto-couplers offer two functions(1)safety isolation &(2) shifting the potential of the gatesignal from uc potential to high-side potentialIf safety isolation between IGBT& micro-controller is notneeded, then"Level Shift" can replace opto-coupling andrealize function(2)OptoHigh-sideHigh-sidecouplerDriverIGBTMicro-Opto-LoW-sideLow-sidecontrollercouplerDriverIGBTZH Liang - Al AP05Dec2003Page 8for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive Level shiftI FeaturesHVc(600V/1200V)沿PULSERFILTERShort Signal DelayPULSE■Cost- effectiveGEN■ No Safety Isolationevel Shift Half-bridge DriverI BenefitHigh-side““°IGBTO Saving Opto-couplersLevel(lower system costShiftMicro● Wider range ofcontrollerLevelLow-side■■■■■直■口m留■Switching FrequencyShiftIGBT(higher flexibility)ZH Liang - Al AP05Dec2003Page 9for internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: CLTNEWO CLT-Coreless Transformer (for signal transmissionu Coils(Primary Secondary Side)realized on SiliconO Short Signal Delay (allowing high or low switching frequencyu Lower Cost(compared to 1200V level-shift driver日 Safety IsolationCLT Half-bridge DriverHigh-sideCLT Single DriverIGBTCLTMicro-controllerCLTIGBTMicro-controllerLoW-sideIGBTZH Liang - Al AP05Dec2003agefor internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Boot-strapBoot-strap circuit includes only a diode and a capacitora In half-bridge drive, the boot-strap circuit can replace the high-sidepower supply and make single-supply operation possibleWhen the low-side IGBT (or FWD)is on, the diode is forwardbiased and the capacitor is charged by the low-side power supplyvia the low-side IGBT and stores the energyWhen the low-side IGBt(and FWD)is OFF, the diode is reversebiased and blocks the dc-bus voltage to protect the low-sidecircuit. Meanwhile, the capacitor supplies energy to the high-sidedriverThe boot-strap capacitance should be high enough to keep thesupply voltage stable Capacitance needed can be calculatedbased on the working conditions and device parametersZH Liang - Al AP05Dec2003agefor internal use onlyInfineon Technologies Asia PacificInfineontechnologiesIGBT Gate Drive: Boot-strap circuitConventional2心菲*|■3 high-side power supplies■1|oW- side power supplyUsing boot-strap circuit心体心心●3 diodes& capacitorso 1 low-side power supplyFeaturesa Diode: ultra-fast recoverya Capacitor: general-purposed ITAa Dependent on low-side IGBTBenefitsSaving 3 PS(transformer cost)22ZH Liang - Al AP05Dec2003Reducing wiring connectionPage 12for internal use onlyInfineon Technologies Asia Pacific
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