SELinux详解（带完整中文标签）
SELinux详解（带完整中文标签）,不错的介绍selinux的文档第5章:"类型增强策略ˆε在这·章中,我们描述了所有核心策咯语言规则和编写类型增强策略的指令。类型增强是 SELinux最重要的访问控制特性,第6章:"角色和用户"。在这一章中,我们描述」 seLinux基于角色的访问控制杋制,以及策略语言中的角色和用户如何支持类型增强策。第7章:"约東″。在这一章中,我们描述∫ sELinux策略语言的约束特性,即在支持强制策咯类型的策咯内提供约束。第8章:"多级安仝"。在这一章中,我们描述了除核心强制访问控制之外的,允许非强制的多级安全访问控制的策咯语言特性。第9章:"条件策略″。在这一章中,我们描述了策眳语言旳増强,使我们可以在类型增强策略中应用布尔表达式,布尔表达式的值在生产系统上,在运行过程中可以被改变第10章:"对象标记″。在这一章中,我们结束了对簧略语言的描述,同时描述了如何标记对象,以及如何在 seLinux增强的访问控制支持下管理那些标记第三部分:"创建和编写 seLinux安仝策略"。在这最后一部分中,我们向你展示如何使用策略语言,同时描写了建立安仝策略的方法,以及如何管理一个 SELinux系统和调试SELinuX策略模块。第11章:"最早的样例箦略″。在这一章中,我们描述了样例篑略,它是一个创建 sELinuX箎略的方法(源文件,构建工具和示范等),自从美国国家安全局(NSA)释放出最初的样例策略以来,已经经过多年的发展和改进。第12章:ˆ参考策略″。在这一章中,我们描述了一个新的创建 seLinuX策略的方法,它提供了所有样例策略的特性。最近发布的 Fedora core5就是使用参考策略作为它的策略基础的。第13章:"管理 SELinux系统"。在这一章中,我们描述了 SELinux如何影响 Linux系统的管理的。第14章:"编写策略模块"。在这最后一章中,我们利用在木书中学到的所有知识总结成一个向导式的指南,指导如何为样例策略和参考策略编写策略模块。附录。木书结尾包括了儿个附加的参考资料的附录附录A:"获取 SELinⅹ样例策略″。提供了关于如何获取本书中描述过的样例策略源文件的说明。附录B:"参与和额外信息"。列出了关于 seLinux的额外信息源,以及如何参与 seLinux的开发。附录C:"对象类参考"。提供了个详绀的关于 SELinux内核对象类和关联的许可的字典附录D:" seLinux命令和实用程序″。提供」一些实用程序和第三方工只,帮助开发SELinuX策略和管理 SELinux系统。如何使用这本书很少有人翻来覆去地阅读一本技术书籍。大多数人都只想理解某个特定的知识点或开始探索一下新技术。尽管反复阅读确实是可取的,这里我们也给出一和备选的方法。透彻阅读并理解第一部分的内容(第1-3章)。这一部分提供了必要的背景知识和概念,对深入理解 SELinux是很有帮助的。特别要仔细阅读和理解第2章。你可能想撇去第二部分(第4-10章)的内容,这一部分主要讲解了 seLinux策略语言。对大多数人而言,这一部分的内容确实显得太深入了,特别是对于初次接触 SELinux的人更是如此。因此,你可以跳过第4章和第10章,但要仔细阅读第5章。这些章节覆盖了几乎所有 seLinux策略语言元紊,在编写策略时就会使用到。最后,阅读第三部分的所有章节(第11-14章),描述了你感兴趣的问题。阅读这些章节时使用第二部分作参考。侧边栏,注意,警告和提示贯穿本书,我们广泛使用了侧边栏和注解以提供附加的信息或强调某个项目,也包括了大量的警告和提示。下面是它们在本书中的约定。侧边栏:我们使用侧边栏主要出于两个目的。首先,使用它描述在章节主体内容中没有直接涉及到附加信息。例如:我们使用侧边栏列出不同 SeLinux版本之间的差异或深入描述读者感兴趣的某个特定的概念。在第二部分中,我们使用侧边栏来描述所有 seLinux策略语言语句的完整语法。这些语法侧边栏为大量策略语言元素提供了快速参考注意:我们伩用注意为某个特定知识点提供了附加的强调。通常注意是非常短的附加说明警告:警告与注意的使用类似,只是它更着重强调或指出需要额外小心提示:为如何执行一个给定的功能提供快速提示和建议,或使某事交得容易的技巧。排版约定所有技术书籍都必须使用某种排版约定,以便于与读者更好地沟通。我们使用斜体宁表示定义概念时的一个关键概念(通常是首次使用时定义),同时也使用斜体字表示强调。对于着重强调的地方,我们使用粗体字对所有 SELinux策略语言元素( allow),用户命令(ps,ls)或你输入的内谷或你在电脑显示屏上看到的内容使用固定宽度的字体。对于显小命令及其输出的长清单,我们使用 Bourne shell标准提小符#( root shell)和$(普通用户shel1)。用户输入使用粗体加固定宽度字体。例如:Is -lz /etc/selinux/W---yroct rcotsystem u: object_r: selinux_config_tconfig彐rwxr-xr-roctrcotsystem u: object r: selinux con=ig tstrictdrwxr-xr-xroct rcotsystcm u: object r: selinux con=ig ttargeted谈论到斥函数或系统调用时,我们约定使用·对空括号,如 execve(,对策略带有参数的宏也使用这个约定,如 domain auto trans(。当参考Linx命令或函数的帮助手册时,对命令或函数使用斜体字,并用括弧将手册小节括起来。如make(1), execve(2)。从哪里获取 SELinuxSELinux在多个 Linux发行版中受到支持,包括 Red Hat Enterprise linux, Red hatFedora core, Gentoo和 Debian。 Fedora core已经成为 SELinux社区测试和集成大部分创新技术的主要平台。 Red Hat Enterprise linux版本4(RHEL4)是第一个完全支持 SeLinux的大型商业发行版。我们在本书中描述的所有内容都与RHEL4和其他发行版有关。我们选择 Fedora core4(FC4)作为本书的基础,它是REI4之后释放出来的一个 FedoraCore版本。我们描述的所有内容都可以在FCA系统上重现。在我们花了八个月编写此书期间,FC4在不断发展、测试、发布。当我们写完此书时 Fedora Core5(FC5)刚刚发布。FC5集成了许多 SELinux新的特性,FC5的特性可能暗示了RIEL5将会更新的内容。实际上,我们在本书中标注了FC4中没有FC5中的新特性和功能。同样,我们也标了FC4中有但RHEL4中没有的特性如果你是一个企业用户或开发人员,你很可能正在使用RHE4或计划使用RHEL5。目前我们使用RHEL4开发我们的个业应用产品。如果你是一名 seLinux的开发人员或早期使用者,你可能正在使用某 Fedora ceυre版木或某些其他发行版。无论你是哪种情况,木书都将会向你提供大量的关于如何使用 SELinuX和开发 SELinux策略的信息。如何取得本书中的样例策略贯穿本书,我们给出了大量的 SElinux策略样例。这些样例基于 Red hat发布 FedoraCore4附带的 strict策略。我们在第1l章详细地介绍了这个策略。C4默认使用的是 target策略,而不是 strict策略,因此你必须用更多的步骤来获得我们样例使用的基础策略。在第三部分中,我们扩大了视野,涵盖了其但类型的策略。在附录A中,我们提供了如何获得本书使用到的样例策略源文件的说明。目录第一部分: SELinux摘要1第1章.背景11.1.软件失效的必然性11.2.操作系统访问控制安全的进展22.1.引用监视程序原理21.2.2.任意访问控制的问题31.2.3.强制访问控制的起源31.2.4.更好的强制访问控制41.2.5. sELinux的发展51.3.小结6练习6第2章:概念12.1.类型强制的安全上下文12.1.1.对比 SELinux和标准 Linux22.1.2.安全上下文22.2.类型强制访问控制32.2.1.类型强制示例42.2.2.域转变的问题52.2.3.标准 Linux安全中的 setuid程序62.2.4.域转变72.2.5.默认域转变: type transition指令2.3.角色92.4. SELinux中的多层安全102.5.精通 SELinux特性112.5.1.重游 passwd示例122.5.2精读策略文件122.6.小结13练习14第3章.架构13.1.内核架构13.1.1.LSM框架13.1.2. SELinuX LSM模块23.2.用户空间客体管理器43.2.1.用户空间客体管理器的内核支持43.2.2.策略服务器架构53.3. SELinux策略语言63.3.1.本地 SELinux策略语言编译器63.3.2.单个策略中的源策咯模块83.3.3.载入式策略模块83.3.4.构建和安装单策略83.4.小结10练习10第部分: SELinux策略语言1第4章.客体类别和许可14.1. seLinux中客体类别的用途14.2.在 SELinux策略中定义客体类别24.2.1.声明客体类别24.2.2.声明并连接客体类别许可34.3.有效的客体类别54.3.1.与文件相关的客体类别54.3.2.与网终有关的客体类别74.3.3. system V IPC客体类别84.3.4.其它杂类客体类别84.4.客体类别许可示例94.4.1.文件客体类别许可94.4.2.进程客体类别许可115.使用Apol研究客体类别144.6.小结16练习16第5章-类型强制15.1.类型强制15.2.类型、属性和别名25.2.1.类型声明25.2.2.类型和属性35.2.3.关联类型和属性45.2.4.别名55.3.访问向量规则65.3.1.通用AV规则语法75.3.2.允许( allow)规则115.3.3审核( audit)规则1l5.3.4. neverallow规则135.4.类型规则145.4.1.通用类型规则语法155.4.2类型转换规则165.4.3.类型改变规则185.5.用Apol研究类型强制规则195.6.小结21练习22第6章.角色和用户16.1. SELinux中基于角色的访问控制16.1.1. SELinux中RBAC概述26.1.2.用角色管理用户权限36.1.3.客体安全上下文中的用户和角色46.2.角色和角色语句46.2.1.角色声明语句46.2.2.角色a11w规则56.2.3.角色转换规则56.2.4.角色控制语句66.3.用户和用户语句76.3.1.声明用户及其关联的角色76.3.2.将 Linux用户映射到 SELinuX用户86.4.用Apol分析角色和用户86.5.小结10练习11第7章.约東17.1.近距离查看访问决定算法7.2.约束语句27.3.标记转换约束57.4.小结8练习8第8章.多层安全8.1.多层安全约束8.2.开启了MLS后的安全上下文18.2.1.安全级别定义28.2.2MLS对安全上下文的扩展48.3.MS约束58.3.1. mlsconstrain语句58.3.2. mlsvalidatetrans语句88.4.MS的其它作用108.5.小结11练习11第9章.条件策略19.1.条件策略概述19.2.布尔变量29.2.1.布尔变量定义29.2.2.在运行系统中关联布尔变量29.2.3.对布尔值的永久性改变9.3.条件语句69.3.1.条件表达式和规则列表69.3.2.条件语句限制99.3.2.1.支持的语句99.3.2.2.嵌套条件话句109.4.使用Apol检查布尔和条件策略109.5.小结14练习14第10章.客体标记110.1.客体标记简介110.2.与文件有关的客体标记210.2.1.扩展属性的文件系统( fs use xattr)410.2.1.1.扩展属性文件系统的标记行为510.2.1.2.在扩展属性文件系统中管理安全上卜文(文件上卜文)610.2.2.基于任务的文件系统( fs use task)710.2.3.基于转换的文件系统( fs use trans)710.2.4.普通安全上下文标记( genesco)810.2.4.1. gencon语句绀粒度标记810.2.4.2.使用 gentscon语句标记传统文件系统1010.3.网终和套接字客体标记1010.3.1.网络接口标记( netifcon)10.3.2.网络节点标记( nodecon)1110.3.3.网络端口标记( porton)1210.3.4.套接字标记1310. 1. System V IPC 1110.5.其它客体标记1410.5.1. capability客体标记1510.5.2. process客体标记1510.5.3. system和 security客体标记1510.6.初始安全标识符1510.7.使用Apo1研究客体标记1710.8.小结18练习19第三部分:创建和编写 SELinux安全策略1第11章.原始示例策略111.1.管理构建过程的方法111.2. strict小例策略211.2.1.策略源文件结构概述311.2.1.1.客体类别和许可定义411.2.1.2.域类型和策略规则411.2.1.3.独立的资源类型511.2.1.4.其它顶层文件和目录511.2.1.5.安全上下文标记611.2.1.6.应用程序配冒文件711.2.2.分析示例策略模块711.2.2.1.定义类型和域911.2.2.2.指定域转换规则1011.2.2.3.条件策略小例1111.2.2.4.ping命令的网络和其它访问1111.2.2.5.审核规则1211.2.2.6.文件安全上下文标记1211.2.3. strict小例策略构建选项12
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MicroElectronic Circuit Design
微电子电路设计第五版,Richard C. Jaeger, Traveis N. Blalock编著。FIETH EDITIONMICROELECTRONICHM-M- CIRCUIT DESIGNRICHARD C. JAEGERAuburn UniversityTRAVIS N. BLALOCKUniversity of VirginiaMcGrawEducationGrawEducationMICROELECTRONIC CIRCUIT DESIGN. FIFTH EDITIOPublished by McGraw-Hill Education, 2 Penn Plaza, New York, NY 10121 CopyrightC 2016 by McGraw-Hill EducationAll rights reserved. Printed in the United States of America. Previous editions 2011, 2008, and 2004. No part of thispublication may be reproduced or distributed in any form or by any means, or stored in a database or retrieval system,without the prior written consent of McGraw-Hill Education, including, but not limited to, in any network or otherelectronic storage or transmission, or broadcast for distance learninSome ancillaries, including electronic and print components, may not be available to customers outside the United StatesThis book is printed on acid-free pape1234567890DOw/DOw1098765ISBN978-0-07-352960-8MHID0-07-352960-5sident Products markets Kurt LVice President, General Manager, Products Markets: Marty Langece President, Content Design Delivery: Kimberly Meriwether DavidManaging director: Thomas TimpGlobal Publisher Raghu srinivasanDirector. Prodrelopment: RoDirector, Digital Content Development: Thomas Scaife, Ph DProduct develoVincent brashMarketing manager: Nick Mc faddenDirector, Content Design Delivery: Linda avenariusProgram meSchillingContent Project Managers: Jane Mohr, Tammy Juran, and Sandra M. SchneeBuyer: Jennifer PickelDesign: Studio Montage, St Louis, MOContent Licensing Specialist: DeAnna DausenerCompositor: MPS LimitedPrinter.R. DonnellAll credits appearing on page or at the end of the book are considered to be an extension of the copyright pageLibrary of Congress Cataloging-in-Publication DataJaeger. Richard cMicroelectronic circuit design/Richard C. Jaeger, Auburn University,Travis N. Blalock, University of Virginia. --Fifth editionpages cmIncludes bibliographical references and indexISBN978-0-07-352960-8(alk. paper)-ISBN0-07-338045-8(alk. paper)d 1. Integrated circuits--Design and construction. 2. Semiconductors--Design and construction. 3. Electronic circuitesign. I. Blalock, Travis N. Il. TitleTK7874.J3332015621.3815-dc232014040020The Internet addresses listed in the text were accurate at the time of publication. The inclusion of a website does not indicatean endorsement by the authors or McGraw-Hill Education, and McGraw-Hill Education does not guarantee the accuracy ofthe information presented at these siteswww.mhhe.comTOTo Joan, my loving wife and life long partnerRichard C. JaegerIn memory of my father, Professor Theron vaughnBlalock, an inspiration to me and to the countlessstudents whom he mentored both in electronicdesign and in life.Travis n blalockBRIEF CONTENTSPreface xxChapter-by-Chapter Summary XXV12 Operational Amplifier Applications 685PART ONE13 Small-Signal Modeling and LinearSOLID-STATE ELECTRONICS AND DEVICESAmplification 77014 Single-Transistor Amplifiers 8411 Introduction to Electronics 32 Solid-State Electronics 4115 Differential Amplifiers and Operational Amplifier3 Solid-state Diodes and Diode circuits 72Design 9524 Field-Effect Transistors 14416 Analog Integrated Circuit Design Techniques 10315 Bipolar Junction Transistors 21517 Amplifier Frequency Response 111318 Transistor Feedback Amplifiers andPART TWOOscillators 1217DIGITAL ELECTRONICSAPPENDICES6 Introduction to Digital Electronics 2837 Complementary MOS (CMOS) Logic Design 359A Standard Discrete Component Values 12918 MOS Memory Circuits 414B Solid-State Device Models and sPIce simulationParameters 12949 Bipolar Logic Circuits 455C TWo-Port Review 1299PART THREIndex 1303ANALOG ELECTRONICS10 Analog Systems and Ideal OperationalAmplifiers 51711 Nonideal Operational Amplifiers and FeedbackAmplifier Stability 587CONTENTSPreface xxCHAPTER 2Chapter-by-Chapter Summary XXVSOLID-STATE ELECTRONICS 41PART ONE2.1 Solid-State Electronic materials 432.2 Covalent bond model 44SOLID-STATE ELECTRONICS2.3 Drift Currents and mobility inAND DEVICES 1Semiconductors 472.3.1 Drift Currents 47CHAPTER 12.3.2 Mobility 48INTRODUCTION TO ELECTRONICS 32.3.3 Velocity Saturation 482.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 491.1 A Brief History of Electronics: From2.5 Impurities in Semiconductors 50Vacuum Tubes to Giga-Scale Integration 52.5.1 Donor Impurities in silicon 511.2 Classification of Electronic Signals 82.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 511.2.1 Digital signals 92.6 Electron and hole concentrations in1.2.2 Analog Signals 9Doped semiconductors 511.2.3 A/D and D/A Converters--Bridging2.6.1Type Material (ND >NA)52the analog and Digital2.6.2 p-Type Material (N,A>ND)53Domains 102.7 Mobility and Resistivity in Doped1.3 Notational conventions 12Semiconductors 541.4 Problem-Solving Approach 132.8 Diffusion currents 581.5 Important Concepts from Circuit2. 9 Total Current 59Theory 152.10 Energy Band Model 601.5.1 Voltage and current Division 152.10.1 Electron-Hole pair generation in1.5.2 Thevenin and norton circuitan intrinsic semiconductor 60Representations 162.10.2 Energy Band Model for a Doped1.6 Frequency Spectrum of ElectronicSemiconductor 61Signals 212.10.3 Compensated semiconductors 611.7 Amplifiers 222.11 Overview of Integrated circuit1.7.1 Ideal operational amplifiers 23Fabrication 631.7.2 Amplifier Frequency Response 25Summary 661.8 Element Variations in Circuit Design 26Key Terms 671.8.1 Mathematical modeling ofReference 68Tolerances 26Additional Reading 681.8.2 Worst-Case Analysis 27Problems 688.3 Monte Carlo analysis 291.8.4 Temperature Coefficients 32CHAPTER 31.9 Numeric Precision 34SOLID-STATE DIODES AND DIODE CIRCUITS 72Summary 34Key Terms 353.1 The pn Junction Diode 73References 363.1.1 pn Junction Electrostatics 73Additional Reading 363.1.2 nternal diode currents 77Problems 363.2 The i-v Characteristics of the diode 78VIllContents3.3 The Diode Equation: A Mathematica3.15 Full-Wave Bridge Rectification 123Model for the diode 803.16 Rectifier Comparison and Design3.4 Diode Characteristics under reverse, ZeroTradeoffs 124and forward bias 833.17 Dynamic Switching Behavior of the Diode 1283.4.1 Reverse bias 833.18 Photo diodes, solar cells, and3. 4.2 Zero bias 83Light-Emitting Diodes 1293.4.3 Forward Bias 843.18.1 Photo diodes and3.5 Diode Temperature Coefficient 86Photodetectors 1293.6 Diodes under reverse bias 863.18.2 Power Generation from Solar Cells 1303.6.1 Saturation Current in real3.18. 3 Light-Emitting Diodes(LEDs)13Diodes 87Summary 1323.6.2 Reverse Breakdown 89Key Terms 1333.6.3 Diode model for the breakdownReference 134Region 90Additional Reading 1343.7 pn Junction Capacitance 90Problems 1343.7.1 Reverse bias 903.7.2 Forward Bias 91CHAPTER 43.8 Schottky Barrier Diode 933.9 Diode SPICE Model and layout 93FIELD-EFFECT TRANSISTORS 1443.9.1 Diode Layout 944.1 Characteristics of the MOS Capacitor 1453.10 Diode Circuit Analysis 954.1.1 Accumulation Region 1463.10.1 Load-Line Analysis 964.1.2 Depletion Region 1473.10.2 Analysis Using the Mathematical4.1.3 Inversion Region 147Model for the diode 974.2 The nmos transistor 1473.10.3 The Ideal diode model 1014.2.1 Qualitative i-v Behavior of the3.10.4 Constant Voltage Drop Model 103NMOS Transistor 1483.10.5 Model Comparison and4.2.2 Triode Region Characteristics ofDiscussion 104the nmos transistor 1493.11 Multiple-Diode Circuits 1054.2.3 On Resistance 1523.12 Analysis of Diodes Operating in the4.2.4 Transconductance 153Breakdown Region 1084.2.5 Saturation of the i-v3.12.1 Load-Line Analysis 108Characteristics 1543.12.2 Analysis with the Piecewise4.2.6 Mathematical model in theLinear model 108Saturation (Pinch-off)3.12.3 Voltage regulation 109Region 1553.12.4 Analysis Including Zener4.2.7 Transconductance in saturation 156Resistance 1104.2.8 Channel-Length Modulation 1563.12.5 Line and Load Regulation 1114.2.9 Transfer characteristics and3.13 Half-Wave Rectifier Circuits 112Depletion-Mode MosFETs 1573.13.1 Half-Wave Rectifier with resistor4.2.10 Body Effect or SubstrateLoad 112Sensitivity 1593.13.2 Rectifier Filter Capacitor 1134.3 PMOS Transistors 1603.13.3 Half-Wave Rectifier with rc load 1144.4 MOSFET Circuit Symbols 1623. 13.4 Ripple Voltage and Conduction4.5 Capacitances in MOS Transistors 165Interval 1154.5.1 NMOs Transistor Capacitances in3.13.5 Diode Current 117the Triode region 1653.13.6 Surge Current 1194.5.2 Capacitances in the Saturation3.13.7 Peak-Inverse-Voltage(PlV)Rating 119Region 1663.13.8 Diode Power Dissipation 1194.5.3 Capacitances in Cutoff 1663.13.9 Half-Wave Rectifier with Negative4.6 MOSFET Modeling in SPICE 167Output Voltage 1204.7 MOS Transistor Scaling 1683.14 Full-Wave Rectifier Circuits 1224.7.1 Drain Current 1693. 14.1 Full-Wave Rectifier with Negative4.7.2 Gate Capacitance 169Output Voltage 1234.7.3 Circuit and power densities 169ContentsIX4.7.4 Power-Delay Product 1705.3 The pnp Transistor 2234.7.5 Cutoff Frequency 1705.4 Equivalent Circuit Representations for the4.7.6 High Field Limitations 171Transport Models 2254.7.7 The unified mos transistor model5.5 The i-v Characteristics of the bipolarIncluding High Field Limitations 172Transistor 2264.7.8 Subthreshold conduction 1735.5.1 Output Characteristics 2264.8 MOs Transistor Fabrication and layout5.5.2 Transfer characteristics 227Design Rules 1745.6 The Operating Regions of the Bipolar4.8.1 Minimum Feature size andTransistor 227Alignment Tolerance 1745.7 Transport Model Simplifications 2284.8.2 Mos Transistor Layout 1745.7.1 Simplified Model for the Cutoff4.9 Biasing the NMOS Field-EffectRegion 229Transistor 1785.7.2 Model Simplifications for the4.9.1 Why Do We Need Bias? 178Forward-Active Region 2314.9.2 Four-Resistor Biasing 1805.7.3 Diodes in Bipolar Integrated4.9.3 Constant Gate-Source VoltageCircuits 237Bias 1845.7.4 Simplified Model for the4.9.4 Graphical analysis for theReverse-Active Region 238Q-Point 1845.7.5 Modeling Operation in the4.9.5 Analysis Including Body Effect 184Saturation Region 2404.9.6 Analysis Using the Unified5.8 Nonideal Behavior of the bipolarModel 187Transistor 2434.10 Biasing the PMos Field-Effect Transistor 1885.8.1 Junction Breakdown Voltages 2444.11 The junction Field-Effect Transistor5.8.2 Minority-Carrier Transport in theUFET190Base Region 2444.11.1 The JFET With Bias Applied 195.8.3 Base Transit time 2454.11.2 JFET Channel with Drain-Source5.8.4 Diffusion Capacitance 247Bias 1935.8.5 Frequency Dependence of the4.11.3 n-Channel jfet i-v Characteristics 193Common-Emitter current gain 2484.11.4 The p-Channel JFET 1955.8.6 The Early Effect and Early4.11.5 Circuit Symbols and JFET ModelVoltage 248Summary 1955.8.7 Modeling the Early Effect 2494.11.6 JFET Capacitances 1965.8.8 Origin of the Early Effect 2494.12 JFET Modeling in Spice 1965.9 Transconductance 2504.13 Biasing the JFET and Depletion-Mode5.10 Bipolar Technology and sPiCe Model 251MOSFET 1975.10.1 Qualitative Description 251Summary 2005.10.2 SPICE Model Equations 252Key Terms 2025.10.3 High-Performance BipolarReferences 202Transistors 253Problems 2035.11 Practical bias circuits for the bjt 2545.11.1 Four-Resistor bias network 256CHAPTER 55.11.2 Design Objectives for theBIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 215Four-Resistor bias network 2585.11.3 terative Analysis of the5.1 Physical Structure of the BipolarFour-Resistor bias circuit 262Transistor 2165.12 Tolerances in bias circuits 2625.2 The Transport Model for the npn5. 12.1 Worst-Case Analysis 263Transistor 2175. 12.2 Monte Carlo Analysis 2655.2.1 Forward Characteristics 218Summary 2685.2.2 Reverse Characteristics 220Key Terms 2705.2.3 The Complete Transport ModelReferences 270Equations for Arbitrary BiasProblems 271Conditions 221
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