Verilog for lsfr over bist

代码说明：

当设计的记忆与大的部分，其中包括电容对位线。两位线用于执行读和写操作，由于放电电容在写操作中的操作。7T sram 存储单元减少了活性因子的排位线对执行写操作。7T sram 存储单元减少了活性因子的排位线对执行写操作。